DDR3 RAM in 30 Nanometer aus dem Hause Samsung

1. February 2010

Samsung gibt nun bekannt, dass man die Entwicklung der DDR3 Speicher im 30 Nanometer Fertigungsprozess abgeschlossen hat. Die neuen Speicherriegel mit 2 Gigabit Interface sollen bis zu 60 Prozent Energieeffizienter sein als die bisherigen RAM Module in 40nm.
In der zweiten Jahreshälfte soll die Massenproduktion beginnen. Ab dann sollen DDR3 Speichermodule für Server und Desktop-PCs oder Notebooks mit zum Beispiel 4 GByte Größe mit Spannungen von 1,35 und 1,5 Volt erhältlich sein. Auf Grund des neuen Fertigungsprozesses sollen dabei gerade einmal 3 Watt Leistungsaufnahme anfallen.

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